Программа для тестирования памяти: Программы для проверки и тестирования оперативной памяти — скачать бесплатно

Memtest86 для Windows 10, 8, 7 – как пользоваться программой

Memtest86 – одна из лучших бесплатных программ для проверки оперативной памяти. Позволяет проводить диагностику в двух режимах: ручном и автоматическом. Главной ее особенностью является работа из-под DOS, благодаря этому исчезает необходимость установки на компьютер, тем самым пропадает зависимость от установленной версии Windows.

К сожалению, приложение доступно только на английском языке. Для работы с утилитой понадобится загрузочная флешка или диск. Подробнее с тем, как это сделать правильно и каков порядок работы с утилитой, можно ознакомиться, изучив информацию ниже.

Содержание статьи

1. Как записать Memtest86 на USB-флешку или диск
2. Как пользоваться Memtest86 (инструкция)
3. Список доступных тестов
4. Способы устранения ошибок
5. Проблемы при работе с программой
6. Восстанавливаем прежний объем флешки
7. Подведение итогов
8. Подробный видео урок по использованию Memtest86
9. Комментарии пользователей

Как записать Memtest86 на USB-флешку или диск

Для начала нужно разобраться, как записать рассматриваемую утилиту на накопитель, поскольку других способов воспользоваться ею не существует. Порядок действий следующий:

1. В первую очередь необходимо зайти на официальный сайт программы Memtest86 и скачать утилиту по предложенной ссылке «Download (Version 9.1 Build 1000)».
   

   Внимание! Скачивать программу следует исключительно с официального сайта. Иначе есть высокий риск того, что вместе с ней на компьютер будут загружены вредоносные программы, способные не только нарушить работу системы, но и украсть персональные данные пользователя.

2. По умолчанию скачивается архив в формате «.zip«. Нажмите по нему правой кнопкой мыши и выберите «Извлечь в …«.
3. Войти в папку с утилитой. В ней будет находиться ISO образ, необходимый для создания загрузочной флешки. Запускаем приложение «imageUSB«.
4. В главном окне выберите флешку, оставив все другие настройки по умолчанию и нажмите на кнопку «Write» (Записать). Учтите, что вся информация, находящаяся на накопителе будет удалена. Некоторые пользователи отмечают, что после записи объем накопителя уменьшается, скажем с 4 ГБ до 50 МБ. Как это исправить, я расскажу ниже.
5. Подтвердите действие, нажав «Yes».
6. Нажмите «Да».
7. После завершения записи необходимо перезагрузить компьютер и войти в биос.
8. Измените настройки загрузки, выставив в качестве первого загрузочного устройства USB флешку. Обычно подобные настройки меняются в разделе «Boot».
9. Сохранить настройки и перезапустить ПК.

Важно! Иногда в процессе записи программы Memtest86 на флешку через родную утилиту «imageUSB by PassMark» возникают ошибки. В таком случае воспользуйтесь «UltraISO«. Это более функциональное приложение, способное также записать ее на диск.

Если у вас современная версия биоса «UEFI», то приоритет загрузки легко поменять с помощью «Boot Manager». Для этого сразу после включения ПК начните нажимать одну из клавиш: F8, F9, F11 или F12, до появления меню с устройствами. Выберите накопитель с помощью стрелок и нажмите «Enter».

Как пользоваться Memtest86 (инструкция)

После запуска Memtest86 с загрузочной флешки, тестирование оперативной памяти запустится в автоматическом режиме со стандартными настройками через 10 секунд. В таком случае проверка пройдет в базовом режиме. В большинстве случаев этого бывает достаточно.

Однако, если вы хотите изменить некоторые настройки, то нажмите клавишу «ESC» для остановки теста. Затем нажмите цифру «3» для открытия главного меню.

В главном меню Memtest86 отобразятся доступные разделы со своими опциями для индивидуальной настройки проверки оперативной памяти:

1. System Info – отобразит общую информацию о системе.
2. Test Selection – отвечает за настройку тестов.
3. Address Range – позволяет задать начальный и конечный адрес памяти.
4. Cpu Selection – позволяет выбрать режим проверки (циклический, последовательный или параллельный).
5. Start test – запустить тестирование оперативной памяти.
6. Ram Benchmark – сравнительный тест с выводом результатов в виде графика.
7. Settings – раздел общих настроек.
8. Exit – выход.

Чтобы начать проверку в ручном режиме, нужно выбрать виды тестов, которые будут задействованы в процессе сканирования памяти. Для этого в Mentest86 откройте раздел «Test Selection», нажав клавишу в кавычках, в данном случае это «T» и обозначьте необходимые пункты.

Обычно тест длится несколько часов, однако точное время полной проверки оперативной памяти назвать сложно, поскольку это зависит от установленного объема ОЗУ. Дождитесь завершения тестирования и проверьте результат. В случае найденных ошибок, в графе «Error» отобразится их число.

Также в общем списке добавятся новые строки с отображением адреса, в чтении которого произошла ошибка.

Список доступных тестов

В разделе «Test Selection» вы найдете ряд тестов, которые можно отключать и включать по своему усмотрению.

1. Test 0 – Проверяются адреса памяти.
2. Test 1 – Глубокий вариант «Test 0». Используется для выявления ошибок в адресе.
3. Test 3 – Вариант анализа адреса с использованием всех ядер процессора.
4. Test 4 – Поиск трудноуловимых и аппаратных ошибок.
5. Test 5 – Аналог предыдущего теста «Test 4» с использованием 8 битного алгоритма.
6. Test 6 – Анализ схем ОЗУ.
7. Test 7 – Выявление неисправностей вида «data sensitive».
8. Test 8 – Выявление ошибок в процессе записи.
9. Test 9 – Анализ с использованием метода буферизации и кэша.
10. Test 10 – Выполняется запись адресов в оперативную память, по завершении уходит в режим сна на 1 час. По истечении обозначенного времени происходит сверка битов в адресах на схожесть.
11. Test 13 – Выявление глобальных проблем.

Данные типы тестов присутствуют в Memtest86 v9.1 Free. Это самая последняя версия на момент публикации данной статьи. Возможно в других версиях произойдут изменения и некоторые пункты поменяются местами, обязательно учитывайте этот момент.

Способы устранения ошибок

Если программой Memtest86 были найдены ошибки, это не всегда значит, что планка памяти повреждена. Очень часто причиной проблемы является банальная загрязненность контактов, вследствие которой технические элементы не соприкасаются друг с другом должным образом.

Поэтому я предлагаю сделать следующее:

1. Выньте модуль из разъема и протрите его от пыли чистой тряпочкой. Контакты желательно протереть школьным ластиком, после этого медицинским спиртом.
2. Очистите от пыли слоты DDR на материнской плате.
3. Аккуратно вставьте планку обратно в разъем. Также если используется один модуль, то можно его установить в другой слот материнской платы.

После выполнения всех пунктов повторите диагностику. Если результаты останутся такими же, то замените модуль.

Для информации! Иногда помогает поднятие напряжения, особенно если речь идет об оверклокерской памяти. Для ее правильной работы необходимо напряжение 2.2, а не стандартное 1.8.

Еще реже причиной появления ошибок становится разгон ОЗУ, в таком случае рекомендую вернуть ей прежние значения. Вероятно, текущая «память» не способна выдавать желаемые производственные характеристики.

Проблемы при работе с программой

Опишу решения нескольких распространенных проблем с которыми сталкиваются пользователи при работе с Memtest86.

1. Не запускается с флешки (мигает курсор). Попробуйте перезаписать приложение через стандартный софт, идущий в комплекте архива или «Universal Usb Installer». Еще один вариант — провести низкоуровневое форматирование накопителя.
2. Тест памяти зависает на отметке 15-25% или длится очень долго. Чтобы ускорить его и предотвратить зависания, просто не включайте «SMP» режим в начале тестирования.

Важно! Иногда может показаться, что при выполнении какой-то из задач компьютер завис. Это далеко не всегда так. В большинстве случаев нужно лишь немного подождать.

Восстанавливаем прежний объем флешки

Восстановить оригинальной объем флешки достаточно легко. Для этого мы будем использовать «imageUSB.exe», которая по умолчанию шла в архиве вместе с образом утилиты Memtets86, скачанного с официального сайта.

Подробная инструкция:

1. Запускаем «imageUSB by PassMark», в разделе «Step 2» выставляем опцию «Reformat USB» и указываем необходимую файловую систему (желательно NTFS).
2. Нажимаем кнопку «Reformat».
3. Ждем окончания процесса, в результате которого будет возвращен прежний объем.

Также можно провести обычное форматирование через проводник Windows 10.

Подведение итогов

Скажу несколько слов о способности выявления дефектов приложением Memtets86.

• Приложение не видит проблему, если неисправна материнская плата или какой-либо ее компонент, например, слот DDR.
• Также дефекты не отображаются при несовместимости модулей DDR с материнской платой.

В целом Memtets86 является мощным инструментом для полной диагностики оперативной памяти, который регулярно использую в своей практике. А периодические обновления и бесплатность делают его незаменимым помощником. Поэтому, рекомендую.

Подробный видео урок по использованию Memtest86

Программа для проверки оперативной памяти

Какой программой можно проверить оперативную память?

Частые синие экраны или как их еще называют “экран смерти” с большой долей вероятности могут указывать на неисправность оперативной памяти. Особенно это может проявляться в приложениях или играх, которые требуют ее большее количество. В этой статье вы узнаете как правильно проверить оперативную память компьютера на ошибки.

Существует множество способов проверки ОЗУ компьютера. Стандартные средства ОС windows также позволяют осуществить эту функцию. Но самым эффективным методом является проверка бесплатной программой Memtest86+. Правда для ее функционирования понадобиться флешка любого размера (Подойдет даже на 256МБ).

Программа для тестирования оперативной памяти

Для того, чтобы воспользоваться бесплатной программой для проверки оперативной памяти Memtest86+ нужно выполнить следующие действия:

1. Перейти на сайт разработчика программы;

memtest86+ – программа для тестирования оперативной памяти

 

2. Скачать программу по ссылке “Download – Auto-installer for USB Key (Win 9x/2k/xp/7)“. Это автоматический установочный файл, который создаст загрузочную флешку с программой Memtest86+;

3. Вставляем флешкарту в компьютер, распаковываем скачанный файл и запускаем единственный распакованный файл “Memtest86+ USB Installer“;

Запускаем файл создания флешки с программой memtest

4. В открывшемся окне соглашаемся с условиями, нажатием кнопки “I agree”;

Соглашаемся с условиями использования программы memtest86+

5. В следующем окне выберите букву вашего флеш диска и отметьте галочку напротив. Внимание! Этим вы полностью очистите вашу флеш карту от каких либо файлов;

Выбираем флешку для копирования файлов memtest86

6. Нажимаем кнопку “Create” чтобы приступить к созданию загрузочной флешки с программой Memtest86+;

7. Через несколько секунд ваша флеш карта превратиться в загрузочную, на которой будет находиться программа для тестирования ОЗУ компьютера;

Отображение процесса создания носителя с программой memtest86

8. Для завершения работы мастера нажимаем “Next” и далее “Finish”.

Далее вам нужно перезагрузить компьютер и загрузиться с только что созданной флешки.

После того, как вы загрузитесь с флешки memtest86+ запуститься сам и вы увидите вот такое окно:

Окно работающей программы memtest86+

Пусть программа потестирует память память хотя бы пару часов. А в идеале – часов 10-12. Так как неоднократно были случаи, когда ошибки выявлялись спустя именно такое длительное время.

Если у вас установлены несколько модулей ОЗУ, то проверять их лучше по 1, вытаскивая все остальные.

А вот так или подобным образом будет выглядеть окно программы в случае нахождения ошибок.

Ошибки оперативной памяти, выявленные memtes86+

Для того, чтобы прервать тестирование памяти вам необходимо нажать клавишу ESC на клавиатуре и вынуть флеш карту из USB разъема.

Лучшая благодарность автору — репост к себе на страничку:

Как проверить озукак проверить оперативную память компьютераПрограмма для проверки оперативной памятиПрограмма для тестирования оперативной памяти

DemonF2016

Т5511 | Системы тестирования памяти

Система тестирования памяти

Многофункциональность и лучшая в отрасли скорость тестирования 8 Гбит/с

Лучшая в отрасли скорость тестирования 8 Гбит/с и точность синхронизации ±40 пс поддержка самых быстрых устройств GDDR5-SDRAM с запасом емкости.

Кроме того, поскольку все тестовые выводы системы поддерживают скорость 8 Гбит/с, при работе на высокой скорости не происходит снижения параллелизма.

Встроенная функция управления тактовой частотой

Необходима для тестирования новых устройств DDR4-SDRAM и GDDR5-SDRAM, функциональная возможность обучения тактовой частоты встроена в аппаратное обеспечение T5511. Это позволяет улучшить пропускную способность, что невозможно, если полагаться на программное обеспечение для этой функции.

Упрощенное создание программы тестирования

T5511 также имеет функцию аппаратного генератора кода CRC, необходимую для тестирования современных устройств DDR4-SDRAM и GDDR5-SDRAM. Специальное оборудование автоматически генерирует CRC-коды, снижая нагрузку на оператора и упрощая создание тестовых программ. Кроме того, T5511 работает под управлением операционной системы Advantest Future Suite, позволяющей операторам использовать обширную библиотеку программных данных, созданную для испытательных систем серии T55xx.

Гибкость «от лаборатории до производства»

Конфигурации системы варьируются от 384 контактов для использования в исследованиях и разработках до 6144 контактов для массового производства. Гибкая конфигурируемость T5511 «от лаборатории до производства» позволяет заказчикам свести капиталовложения к минимуму, достигнув при этом максимальной эффективности испытаний.

Разнообразные модули DRAM, одно тестовое решение

Динамическая оперативная память (DRAM) является наиболее часто используемым типом товарных запоминающих устройств для персональных компьютеров и рабочих станций. Он также широко используется в серверах и клиентах, а также в графических и мобильных приложениях. Несмотря на повсеместное распространение, темпы развития технологии DRAM меняются и развиваются довольно быстро; классы приложений сильно различаются по скорости и функциям. Сверхбыстрые чипы GDDR5-SDRAM, используемые для графики, нуждаются в таких функциях, как обучение тактовой частоты и CRC (циклическая проверка избыточности), чтобы гарантировать их надежность и высокую скорость работы.

Между тем, пропускная способность DDR4-SDRAM для серверов и клиентов вскоре вдвое превысит пропускную способность основной памяти DDR3-SDRAM и функциональность, равную GDDR5. В мобильных и графических сегментах ширина шины x32 и x64 в настоящее время является основной, и ожидается, что в ближайшем будущем будут стандартизированы модули Wide I/O DRAM с 256-битным интерфейсом.

Разнообразие требований конечного приложения, развитие технологии DRAM требует оптимальных тестовых решений, которые могут поддерживать каждое новое поколение устройств и приложение, в то время как императивы контроля затрат требуют решения на одной платформе, поддерживающего различные типы DRAM, которые можно гибко развернуты от исследований и разработок до серийного производства.

Целевые устройства	DDR4-SDRAM, GDDR5-SDRAM
Возможности параллельного тестирования	256 (×8 входов/выходов)
Максимальная тестовая скорость	4 ГГц / 8 Гбит/с

Тест памяти большого объема | FormFactor, Inc.

Увеличивающееся потребление данных и растущее распространение приложений для запоминающих устройств повышают спрос на DRAM и флэш-память. Платы зондов для вафельных пластин производства FormFactor предлагают экономичные решения для тестирования памяти.

Помимо смартфонов и других портативных устройств, приложения памяти ИС распространились на центры обработки данных, твердотельные накопители (SSD), автомобили, бытовую технику и другую электронику.

Поскольку рынок интегральных схем памяти продолжает развиваться и расширяться, производители полупроводников сталкиваются со сложными проблемами, связанными с высокой степенью параллелизма и тестированием контактов всей пластины. Ассортимент высокопроизводительных решений FormFactor для тестирования подложек помогает поставщикам микросхем оптимизировать выход продукции, снизить стоимость тестирования и сократить время выхода на рынок современных передовых устройств памяти.

DRAM — Тестирование контактов полной пластины

Нацеленность на 1-2 приземления с 256-3200 сайтами
Технологические узлы технологии DRAM продолжают сокращаться, что обусловлено потребностью в увеличении битовой плотности и снижении стоимости устройств памяти.

В связи с недавним ускоренным переходом на технологические узлы 1Z и 1α нанометров количество кристаллов на пластину быстро увеличивается. В результате, полноценные пробные платы DRAM, которые одновременно проверяют каждый кристалл на пластине, должны идти в ногу с этим ростом. Кроме того, производительность сортировки вафель должна увеличиваться для достижения целевых затрат без значительных капитальных затрат на существующую испытательную площадку.

Компания FormFactor, работающая с крупнейшими мировыми производителями памяти, является лидером в разработке и сертификации пробных плат DRAM следующего поколения. Плата датчиков SmartMatrix 3000XP от FormFactor включает специализированную электронику для повышения целостности сигнала, а также использует массовое совместное использование ресурсов тестера для обеспечения высокопараллельного тестирования на нанометровых узлах 1Z и 1α. Эта платформа, специально разработанная для поддержки быстрых рамок проектирования и расширенных планов выпуска продукции, расширяет проверенную в производстве архитектуру Matrix™, обеспечивая параллельность тестов, превышающую 3000 кристаллов на пластину за одно касание.

Уникальные технологические характеристики позволяют платформе FormFactor Matrix поддерживать сложные требования к испытаниям.

ATRE
ATRE (Advanced Tester Resource Enhancement) от FormFactor — это набор настраиваемых устройств и соответствующей инфраструктуры, которые обеспечивают тестирование с высокой степенью параллелизма за счет увеличения собственных ресурсов тестера, контролируемых программой тестирования с помощью настраиваемых протоколов связи.

DC ATRE и Power Boost™ DC ATRE и Power Boost от FormFactor позволяют клиентам совместно использовать одни и те же ресурсы тестера для нескольких линий постоянного тока или сигналов питания в микросхеме, предоставляя инженерам возможность переключаться между общим и отдельными сигналами. При совместном использовании сигнала между несколькими тестируемыми устройствами он изолирует отдельные кристаллы, чтобы предотвратить «эффект мертвого солдата», то есть только отдельные плохие кристаллы идентифицируются как неисправные, а хорошие штампы проходят проверку.   TTRE Для повышения целостности сигнала решение FormFactor Terminated TRE (TTRE) обеспечивает лучшую точность сигнала. С внедрением TTRE платформа SmartMatrix поддерживает повышенную скорость тестирования и обеспечивает лучшее совместное использование сигналов, что приводит к увеличению параллелизма без ущерба для производительности карты датчиков.   Платформа продуктов SmartMatrix также поддерживает измерения при высоких температурах до 145°C и скорости тестирования с тактовой частотой 125 МГц для увеличения пропускной способности и покрытия тестами без увеличения общей стоимости тестирования. В дополнение к этим уникальным характеристикам FormFactor тесно сотрудничает со своими поставщиками для разработки и производства технологии DUTlet с высоким импедансом для улучшения согласования импеданса для превосходного качества сигнала.

KGD следующего поколения и тест высокоскоростной памяти для усовершенствованных корпусов

Недавнее внедрение в отрасли гетерогенных интегрированных систем на основе передовых технологий упаковки 2. 5D и 3D повышает спрос на заведомо исправные кристаллы (KGD). Преимущество KGD гарантирует, что окончательная сложенная и собранная упаковка не будет утилизирована из-за одной неисправной стружки, что эффективно повышает конечный выход и снижает стоимость упаковки.

Поскольку спрос на усовершенствованные интегральные схемы резко возрастает, решения для тестирования KGD требуют более высокой эффективности тестирования для снижения затрат и поддержки большего объема. В сочетании с улучшением собственной скорости DRAM и памяти с высокой пропускной способностью (HBM) новейшая память работает на частоте выше 2 ГГц (4 Гбит/с), что расширяет возможности существующих тестеров ATE. Недавние совместные усилия FormFactor и лидеров отрасли успешно продемонстрировали, что тестирование на частотах выше 3 ГГц достижимо.

Расширенные возможности карты зонда HFTAP K32 от FormFactor позволяют клиентам DRAM тестировать скорость на уровне пластин до 3,2 ГГц/6,4 Гбит/с для памяти KGD следующего поколения. Эта усовершенствованная пробная карта MEMS используется для проверки электрических характеристик и производительности не только отдельных микросхем, но и устройств, используемых в стеке HBM, включая промежуточный элемент с малым шагом для обеспечения производительности всего пакета.

 

Используя проверенную в производстве платформу SmartMatrix, карта датчика HFTAP K32 способна работать в широком диапазоне температур. HFTAP K32 позволяет клиентам получать больше информации на любом этапе процесса гетерогенной интеграции, когда традиционные методы оптимизации производительности монолитного кремниевого кристалла уже не подходят.

 

Флэш-память — Полнопластинчатые контактные пробники флэш-памяти NAND/NOR

Плата зонда Genus — это новейшее решение FormFactor для тестирования 300-мм цельнопластинчатых контактов для приложений флэш-памяти NAND. Продукт обеспечивает возможность одного приземления для тестирования флэш-памяти NAND с возможностью большого количества выводов, отвечая стремлению отрасли увеличить количество бит и сложность. Возможность увеличения количества контактов приводит к улучшенной подаче питания для 3D NAND с дополнительными контактами питания и заземления.

Используя проверенные 2D МЭМС-датчики FormFactor и технологию пространственного преобразования, платформа Genus обеспечивает оптимальное согласование КТР для широкого диапазона температур, что приводит к оптимальному размещению зондов и превосходным характеристикам очистки. Семейство датчиков Genus поддерживает работу в двух температурных режимах от -40°C до 130°C. Genus позволяет быстро выйти на рынок, чтобы удовлетворить критические первые потребности в кремнии.

Для высокоскоростного тестирования NOR Flash с большим количеством выводов продукт TouchMatrix компании FormFactor предлагает решение с зондом для пластин, разработанное специально для обеспечения минимальной общей стоимости тестирования на кристалл для тестирования пластин NOR Flash размером 200 мм и 300 мм. Он обеспечивает массивный параллелизм и адаптируется к различиям в испытательном оборудовании и конструкции изделий производителей, чтобы оптимизировать планарность датчика и скорость настройки.