Что такое ви: ВИ | это… Что такое ВИ?

ВИ | это… Что такое ВИ?

ТолкованиеПеревод

ВИ

ВИ

военная инспекция

воен.

Словари: Словарь сокращений и аббревиатур армии и спецслужб. Сост. А. А. Щелоков. — М.: ООО «Издательство АСТ», ЗАО «Издательский дом Гелеос», 2003. — 318 с., С. Фадеев. Словарь сокращений современного русского языка. — С.-Пб.: Политехника, 1997. — 527 с.

ВИ

«Вестник инженеров»

журнал

издание

ВИ

временной интервал

Источник: http://www.minsvyaz.ru/_new-portal/site.shtml?id=2003

ВИ

Восточный институт

образование и наука

Пример использования

ВИ ДВГУ

ВИ

военное имущество

воен.

Словарь: Словарь сокращений и аббревиатур армии и спецслужб. Сост. А. А. Щелоков. — М.: ООО «Издательство АСТ», ЗАО «Издательский дом Гелеос», 2003. — 318 с.

ВИ

военный институт

воен., образование и наука

Источник: «Коммерсантъ Власть», 14.05.2002

ВИ

«Видео интернешнл»

англ.: VI, Video International

ср.: ГКВИ

http://www.vi.ru/​

англ., организация

ВИ

«Вечерний интернет»

http://vi.cityline.ru/​

vi/​

издание

ВИ

«Веб-империя»

http://www.web.empire.ru/​

ВИ

«Вопросы истории»

журнал

издание

ВИ

Ветеринарный институт

мед. , образование и наука

ВИ

временная инфраструктура

ВИ

виртуальная инфраструктура

Источник: http://www.securitycode.ru/company/news/178/

ВИ

взвешенные изображения

в магнитно-резонансной томографии

мед.

Словарь сокращений и аббревиатур. Академик. 2015.

Игры ⚽ Поможем написать реферат

• ХОВ
• совфед

Полезное

Понятия и термины, которые полезно знать поступающим в вуз

Получите материал на почту и вернитесь к нему позже.

Email

Согласен на получение маркетинговых рассылок

При подготовке к поступлению в вуз абитуриенты встречают много терминов, которые не всегда понятны. Мы собрали список основных понятий и дали им расшифровку. Читайте и запоминайте.

Разберитесь в терминах, которые нужны для поступления

О зачислении

Контрольные цифры приема (КЦП) – количество мест в вузе, на которые будут принимать абитуриентов. Устанавливаются цифры бюджетных и платных мест по каждому направлению на разные формы обучения.

КЦП можно найти на сайте вуза

Источник: Фото: https://pk.mipt.ru/bachelor/2018_places/

Волна первая – первый этап зачисления, в который заполняются 80 % бюджетных мест вуза. Проходят абитуриенты, которые набрали наибольшее количество баллов и вовремя принесли оригиналы документов. 1 августа завершается прием оригиналов и заявлений о согласии на зачисление. 3 августа публикуются списки поступивших.

Волна вторая – второй этап зачисления, в который заполняются оставшиеся 20 % бюджетных мест. Формируется он из абитуриентов из рейтингового списка. Последний день приема оригиналов документов и заявлений о согласии на зачисление – 6 августа. Приказ публикуется 8 августа.

*Все даты указаны для 2018 года поступления.

Читайте также нашу статью «Пришел, увидел, поступил: как вовремя подать документы в вуз после 11 класса» 

На примере НИУ ВШЭ можно увидеть процесс зачисления в разных волнах

Фото: Презентация ДвФУ

Целевой прием – абитуриенты поступают в вуз по направлению от организации, в которой должны отработать после окончания обучения установленный договором срок. Обучение производится за счет будущего работодателя.

Квота – предоставление льгот при поступлении на бюджет определенным категориям абитуриентов: инвалидам, сиротам, ветеранам боевых действий. Квота должна составлять не менее 10 % от общего количества бюджетных мест. Таким абитуриентам нужно пройти вступительные испытания и набрать минимальное количество баллов.

О экзаменах

БВИ – поступление в вуз Без Вступительных Испытаний. Таким правом могут воспользоваться победители и призеры некоторых видов олимпиад: Всероссийской и перечневых I категории.

ДВИ (Дополнительные вступительные испытания) – экзамены или творческие конкурсы, которые проводят вузы. Чаще всего сдавать их требуется для поступления на творческие специальности (дизайн, мода, журналистика и т. д.). Также некоторые топовые вузы страны могут провести ДВИ по профильным предметам. Связано это с высоким уровнем конкурса и большим спросом среди абитуриентов.

Внутренние испытания – экзамены по профильным предметам, которые проводят вузы вместо ЕГЭ для некоторых категорий абитуриентов: лиц с инвалидностью, иностранных граждан, крымчан, выпускников колледжей и техникумов, лиц, получивших образование в иностранном учебном учреждении.

Вступительные испытания – для поступления нужно сдать ЕГЭ по профильным предметам и пройти ДВИ в вузе.

Топовые вузы страны проводят ДВИ

Источник: http://www.fa.ru/priemka/bakalavr/Pages/ispitaniya.aspx

Индивидуальные достижения – достижения абитуриента, за которые вуз начисляет дополнительные баллы. Максимальное их количество – 10.

За какие заслуги можно получить бонусы, читайте в нашей статье «7 способов получить дополнительные баллы при поступлении».

Проходной балл – количество баллов последнего зачисленного в прошлом году. В разные года цифра меняется. По проходному баллу можно понять престижность вуза.

О деньгах

Обучение за счет средств федерального бюджета

– студент не платит за обучение, имеет право на получение стипендии. Для этого нужно поступить на бюджетное отделение.

С полным возмещением средств (внебюджет) – студент платит за обучения сам на основании договора, заключенного с вузом.

О ступенях образования

Среднее профессиональное образование (СПО) – это образование, полученное в среднем специальном учебном заведении (ССУЗ): колледже или техникуме.

Бакалавриат – первая ступень высшего образования. Оно дает общую базовую подготовку по выбранному направлению. Обучение происходит по ускоренной программе – 4 года. Некоторые программы сжать не удалось, поэтому они остались в формате специалитета.

Прикладной бакалавриат – программа обучения, в которой сделан особый акцент на практике и получением студентов прикладных профессиональных навыков. Большое внимание уделяется производственной практике. После прикладного бакалавриата выпускник максимально готов к трудовой деятельности.

Специалитет – система непрерывного высшего образования в вузе. Обучение длится 5 или 6 лет. По итогам студент получает диплом специалиста и может занимать исполнительские и руководящие должности.

Магистратура – вторая ступень высшего образования после бакалавриата или специалитета. Обучение предполагает более глубокое погружение в выбранную специальность. Длится оно – 2 года. По окончании выдается диплом магистра, который дает более широкие возможности в трудоустройстве по сравнению со степенью бакалавра.

Аспирантура – ступень послевузовского образования, которая нацелена на подготовку научных сотрудников высшей категории. Срок обучения – 3 года. После успешной защиты диссертации аспиранту присваивают звание кандидата наук.

Ординатура – форма повышения квалификации выпускника медицинского вуза, которая дает врачу право вести врачебную деятельность. Срок обучения 2 года.

Докторантура – вторая ступень послевузовского образования, которая следует за аспирантурой. Срок обучения – 3 года. После присваивается научная степень доктора наук.

Об обучении

Образовательная программа – уникальный учебный план со своими дисциплинами, который обеспечивают получение знаний по профессии.

Образовательные программы можно выбрать по желаемому направлению подготовки

Источник: https://spbu.ru/

Форма обучения – способ организации учебного процесса. Есть несколько видов:

• Очная – предполагает ежедневное посещение вуза студентами (кроме установленных выходных) в течение всего учебного года.
• Очно-заочная – обучение производится в вечернее время или выходные дни. Количество лекций и семинаров меньше, чем на очной форме.
• Заочная – студенты самостоятельно осваивают учебные материалы. При этом они несколько раз в год посещают вуз, чтобы прослушать сжатый курс лекций, сдать зачеты и экзамены. За счет того, что учебный план растянут, обучение длится в 1,5 раза дольше, чем на очной форме.
• Дистанционная – обучение производится через интернет. Студенты слушают лекции в режиме онлайн, могут задавать вопросы преподавателю в чате. Контрольные и практические задания получают по электронной почте.

 

 

Поделиться

11

Комментарии

Vee Определение и значение — Merriam-Webster

1 из 2

ˈvē

1

: буква v

2

: что-то в форме буквы V

ВЭЭ

2 из 2

Венесуэльский энцефалит лошадей

Примеры предложений

Последние примеры в Интернете

В своем эксперименте Уилкинсон установила V-образную проволочную сетку с миской для угощений, помещенную внутрь точки vee . — Смрити Рао, Discover Magazine , 31 марта 2010 г. Но вместо форсунок, распыляющих топливо на стороне впуска головок возле долины vee , форсунки расположены между выпускными клапанами, конструкция позаимствована у Chevy Indy V-6. — Тони Кирога, Автомобиль и водитель , 26 октября 2021 г. Широкая долина обеспечивает основу для выпускных коллекторов и двойных турбонагнетателей, расположенных в конфигурации горячего V-образного сечения . —К.ц. Колвелл, Автомобиль и водитель , 19 мая 2021 г. Стаи сотен зорких журавлей взлетают над Красной рекой, перемещаясь и перемещаясь массами, а не в классическом vee мигрирующих гусей, но больше похоже на железные опилки, дрожащие вокруг магнита. — Эндрю Маккин, Outdoor Life , 20 октября 2020 г. Направление выхлопных отверстий в vee на турбины приводит к очень короткому пути для выхлопных газов, которые вращают турбины. — Джон Перли Хаффман, Автомобиль и водитель , 8 апреля 2020 г. Лучшими приманками были Choo Choo Buzzbaits и Bull Wake Shad, провернутый, чтобы сделать ви — кильватерный след на поверхности. — Фрэнк Сарджент, al , 18 октября 2019 г. Согласно веб-сайту Navistar, его завод в Хантсвилле занимает площадь почти 700 000 квадратных футов и производит линейку двигателей vee компании. — Пол Гаттис | [email protected], al.com , 14 июня 2019 г. Большинство новых двигателей V-6 или V-8 с турбонаддувом — это горячий двигатель.0011 vee — Mercedes-Benz, BMW и даже Ford с 6,7-литровым дизельным двигателем Power Stroke. — Эзра Дайер, Popular Mechanics , 27 декабря 2018 г. Узнать больше

Эти примеры программно скомпилированы из различных онлайн-источников, чтобы проиллюстрировать текущее использование слова «vee». Любые мнения, выраженные в примерах, не отражают точку зрения Merriam-Webster или ее редакторов. Отправьте нам отзыв об этих примерах.

История слов

Первое известное использование

Существительное

около 1818 года, в значении, определенном в смысле 1

Путешественник во времени

Первое известное использование vee было около 1818 г.

Посмотреть другие слова того же года

Словарные статьи рядом с

vee

ведро

ви

ВЭЭ

Посмотреть другие записи поблизости

Процитировать эту запись «Ви».

Словарь Merriam-Webster.com , Merriam-Webster, https://www.merriam-webster.com/dictionary/vee. По состоянию на 22 июня 2023 г.

Копия цитаты

Медицинское определение

VEE

аббревиатура

Венесуэльский лошадиный энцефалит; Венесуэльский лошадиный энцефаломиелит

Подпишитесь на крупнейший словарь Америки и получите тысячи дополнительных определений и расширенный поиск без рекламы!

Merriam-Webster без сокращений

желтушный

См. Определения и примеры »

Получайте ежедневно по электронной почте Слово дня!

power — В чем разница между \$V_{CC}\$, \$V_{DD}\$, \$V_{EE}\$, \$V_{SS}\$

Я думаю, что могу есть на это точный ответ. Это название происходит от стандарта IEEE 1963 года 255-1963 «Буквенные символы для полупроводниковых устройств» (IEEE Std 255-1963). Я фанатик истории электроники, и это может быть интересно другим (фанатикам), поэтому я сделаю этот ответ немного шире, чем необходимо.

Прежде всего, первая заглавная буква V взята из параграфов 1.1.1 и 1.1.2 стандарта, в которых определяется, что v и V равны символы количества , описывающие напряжение; в нижнем регистре означает мгновенное напряжение (1.1.1), а в верхнем регистре означает максимальное, среднее или среднеквадратичное напряжение (1.1.2). Для справки:

           

Параграф 1.2 начинает определять индексы для символов количества. Буквы нижнего индекса в верхнем регистре означают значения постоянного тока, а в нижнем регистре — значения переменного тока. Напряжения питания, очевидно, представляют собой напряжения постоянного тока, поэтому их буквы должны быть в верхнем регистре.

Стандарт определяет 11 суффиксов (букв). Это:

• E, e для излучателя
• Б, б для базы
• C, c для коллектора
• J, j для универсального терминала полупроводниковых устройств
• А, а для анода
• К, к для катода
• Г, г для ворот
• X, x для общего узла в цепи
• М, м на максимум
• Мин, мин для минимума
• (AV) для среднего

Этот стандарт предшествует МОП-транзистору (который был запатентован в августе 1963 г.) и поэтому не имеет букв для истока и стока. С тех пор он был заменен более новым стандартом, который определяет буквы для Drain и Source, но у меня нет этого стандарта.

Дополнительные нюансы стандарта, определяющие дальнейшие правила написания символов, делают чтение увлекательным. Удивительно, как все это стало общеизвестным, что теперь спокойно принимается и понимается даже без нормативной ссылки.

 

Параграф 1.3 определяет, как пишутся индексы, особенно когда их несколько. Прочтите слова стандарта:

Так, например, V _bE означает среднеквадратичное значение (заглавная буква V) составляющей переменного тока (нижний регистр b) напряжения на базе полупроводникового устройства относительно Значение постоянного напряжения эмиттера полупроводникового прибора (верхняя буква E).

В случае, если указанный эмиттер полупроводника напрямую соединен с землей, что, безусловно, считается известной ссылкой, тогда среднеквадратичное значение переменного напряжения на базе составляет V _b . Постоянное или среднеквадратичное напряжение на базе равно V _B , а мгновенное напряжение на базе равно v _b .

 

Теперь дополнительные баллы: почему V _CC вместо V _C или V _DD вместо V _D ? Раньше я думал, что это разговорное слово от «Напряжение от коллектора к коллектору», но, очевидно, неудивительно, что оно также определено в стандарте:

So V _CCB означает напряжение питания постоянного тока на коллекторе полупроводникового прибора относительно базы устройства, а V _CC означает напряжение питания постоянного тока на коллекторе относительно земли.

На первый взгляд может показаться, что дублирование нижнего индекса приведет к двусмысленности, но на самом деле это не так. Во-первых, случаи, которые, казалось бы, неоднозначны, довольно редки; чтение V _CC означает, что напряжение от коллектора устройства до коллектора того же устройства заведомо равно нулю, поэтому нет смысла его описывать. Но что произойдет, если устройство имеет две базы? Стандарт дает ответ. Напряжение от базы 1 устройства к базе 2 устройства записывается В _В1-В2 . А напряжение от базы устройства 1 до базы устройства 2 (обратите внимание — это интересно) пишется V _1B-2B .

 

Остается один вопрос: загадочный случай с КМОП-схемами. Как уже отмечалось в других ответах, стандарт именования, похоже, не соответствует действительности в отношении схем CMOS. На этот вопрос я могу предложить только свое понимание, связанное с тем, что я работаю в компании, производящей полупроводники. _{(«оу!» ожидалось здесь. )}

Действительно, в КМОП и положительная, и отрицательная шины подключены к источникам каналов N и P — по-другому это практически невозможно сделать — пороговые напряжения стали бы неоднозначными в стандартных вентилях, и я даже не хочу подумайте о защитных структурах … поэтому я могу просто предложить следующее: мы привыкли видеть V _DD в схемах NMOS (приветствие @supercat, верхний резистор на шине действительно обычно транзистор — для тех, которые интересно, пожалуйста, смотрите отличное 1983 книга «Введение в проектирование МОП-БИС»), а V _SS одинаков как для NMOS, так и для CMOS. Таким образом, для нас было бы нелепым использовать любые другие термины, кроме V _DD и V _SS (или V _GND ) в наших спецификациях. Наши клиенты привыкли к этим терминам, и они заинтересованы не в эзотерике, а в том, чтобы заставить свои проекты работать, поэтому даже мысль о попытке представить что-то вроде V _{SS POSITIVE} или V _{SS NEGATIVE} было бы совершенно нелепо и контрпродуктивно.